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Infineon Technologies SIDC30D120F6X1SA2
| Artikelnummer: | SIDC30D120F6X1SA2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GP 1.2KV 35A WAFER |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Infineon Technologies SIDC30D120F6X1SA2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIDC30D120F6X1SA2.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 2.1 V @ 35 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse Sawn on foil Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung / Gehäuse Die Paket Bulk Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 27 µA @ 1200 V Strom - Richt (Io) 35A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer SIDC30D SIDC30D120F6X1SA2 Einzelheiten PDF [English] SIDC30D120F6X1SA2 PDF - EN.pdf -
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